EN-3020B分立器件测试仪

概述：EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
系统特点：
功率源 3000V/200A
测试系统整体采用计算机操控
测试数据由计算机记录，并进行 Excel 处理
采用脉冲法测试，脉宽为国军标
自动化程度高（可按设定的程序自动测试）
测试灵活（完美应对器件及多单元模块测试）
Labview 平台开发，数据编辑处理功能强，菜单式，模块化，人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气，电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型，失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。
●规格环境
尺寸：250×570×280（mm）
质量：15kg
环境温度：15~40℃
工作电压；AC220V±10％（无严重谐波）
电网频率：50Hz
通信接口；USB RS232
功能单元&nbsp参数指标
基本参数&nbsp功率源：3000V/200A
栅极-发射极漏电流&nbspIGES: 0.1-10uA±2％±0.01uA
IGES&nbsp集电极电压VCE: 0V
&nbsp栅极电压 Vge: 5-40V±3％±0.1V
&nbsp
&nbsp集电极电压VCES: 200-3000V±2％±10V
集电极-发射极电压&nbsp集电极电流ICES: 0.1-1mA±3％±0.01mA
&nbsp栅极电压 Vge: 0V
集电极-发射极饱和&nbspVCESat:0.1-5V±2％±0.01V
电压VCESat&nbsp栅极电压Vge: ±15V±2％±0.2V
&nbsp集电极电流ICE: 10-100A±2％±1A
&nbsp
集电极-发射极截止&nbsp集电极电压VCE: 200-3000V±3％
&nbsp集电极电流ICES: 0.1-1mA±3％±0.01mA
电流ICES&nbsp
&nbsp栅极电压VGE: 0V
&nbsp
栅极-发射极阈值电&nbspVGEth: 1-10V±2％±0.1V
压&nbspVce=15V
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二极管压降测试&nbspVF: 0.1-5V±2％±0.01V
&nbspIF:5-100A±2％±1A
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&nbspVge: 0V
反向击穿BVR&nbspBVR：200-3000V±2％±10V
反向漏电流IR&nbspIR：0.1-10mA±3％±0.01mA
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导通电阻RDS（on）&nbsp1-10mΩ±2％±0.1 mΩ
&nbsp10-50mΩ±2％±0.5 mΩ 西安易恩电气科技股份有限公司
主营业务：全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪